05µm 2P2M CMOS工艺平台。0.5微米栅长, 双层多晶，双层金属. 应用于LED 电路驱动，工作电压3.3V~5V, （12V，40V 可选）。具有详尽的设计规则，精确的SPICE模型。

  工艺特性

Ø  Ø 工作电压3.3V~5V，（12V，40V 可选），0.5微米CMOS，双多晶，两层金属，双阱工艺。

Ø  Ø 衬底材料为P型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。

Ø  Ø 12块掩模版，15个光刻层。

Ø  Ø 可提供N型只读掩模代码。

Ø  Ø 标准的局部氧化隔离工艺。

Ø  Ø 栅氧厚度为125埃，采用硅化物栅极。

Ø  Ø N/P型轻掺杂漏区和侧壁结构。

Ø  Ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。

Ø  Ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。

Ø  Ø IMD SOG 平坦化工艺。

Ø  Ø 钨塞工艺

Ø  Ø POP多晶硅电容。

Ø  Ø 多晶硅电阻。

2)        典型应用

Ø  Ø DC-AC 转换

Ø  Ø LDO 电路驱动

Ø  Ø 电源管理芯片

Ø  Ø 充电器管理IC

Ø  Ø LED电路驱动