0.8µm 1P2M CMOS工艺平台。0.8微米栅长, 单层多晶，双层金属. 应用于LED电路驱动，工作电压5伏。具有详尽的设计规则。

1)        工艺特性

Ø  Ø 0.8微米CMOS，单多晶，两层金属，双阱工艺。

Ø  Ø 工作电压5伏。

Ø  Ø 衬底材料为N型、<100>晶向、4~7欧姆.厘米。

Ø  Ø 11块掩模版，12个光刻层。

Ø  Ø 可提供N型只读掩模代码。

Ø  Ø 标准的局部氧化隔离工艺。

Ø  Ø 栅氧厚度为200埃，采用多晶硅栅极。

Ø  Ø N/P型轻掺杂漏区和侧壁结构。

Ø  Ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。

Ø  Ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。

Ø  Ø IMD 平坦化工艺。

2)        典型应用

Ø  Ø DC-AC 转换

Ø  Ø 电源管理芯片

Ø  Ø 充电器管理IC

Ø  Ø LED电路驱动